KYOTO, Japan, 10. Juni 2026 /PRNewswire/ -- ROHM Co., Ltd. gab bekannt, dass sein SiC-MOSFET mit 750 V in einer BBU (Battery Backup Unit) für KI-Server-Netzteile eingesetzt wurde. Mit dem Aufkommen der generativen KI verlagern sich die Stromversorgungssysteme von KI-Servern auf höhere Spannungen und gehen rasch zu HVDC-Architekturen (Hochspannungs-Gleichstrom) über. In diesem Umfeld wurde das Bauelement von ROHM als SiC-Leistungshalbleiter ausgewählt, der Stromversorgungssysteme der nächsten Generation unterstützt.
Abbildungen: Produktmerkmale
https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202606040358/_prw_PI1fl_KW489zte.jpg
Da die generative KI eine höhere GPU-Leistung und einen steigenden Stromverbrauch in Rechenzentren vorantreibt, bewegt sich die Branche in Richtung HVDC-Architekturen, um Verluste bei der Stromübertragung zu verringern. In diesen Hochleistungs- und Hochspannungsumgebungen spielen BBUs und CUs (Kondensatoreinheiten) eine zunehmend wichtige Rolle beim Schutz von Systemen auf Rack-Ebene bei Stromausfällen oder kurzzeitigen Unterbrechungen.
Bei dem eingesetzten Produkt handelt es sich um den „SCT4013DLL", einen SiC-MOSFET mit 750 V, der im Stromversorgungsbereich einer Stromversorgungsarchitektur für KI-Server mit +400 V/−400 V eingesetzt wird. Dank der Eigenschaften von SiC bietet dieses Produkt eine hohe Temperaturtoleranz mit einer maximalen Sperrschichttemperatur (Tj) von 175 °C, was einen stabilen Betrieb selbst in BBUs ermöglicht, in denen die Wärmeentwicklung mit steigender Spannung und Leistungsdichte zunimmt.
SCT4013DLL: https://www.rohm.com/products/sic-power-devices/sic-mosfet/sct4013dll-product
Bei den 800-VDC-Stromversorgungsarchitekturen der nächsten Generation beträgt die Versorgungsspannung für das Batteriepack in der BBU etwa 560 V. Aus diesem Grund können die SiC-MOSFETs von ROHM mit einer Nennspannung von 750 V auch in diesen Systemen eingesetzt werden.
KI-Server-Stromversorgungen der nächsten Generation erfordern Backup-Systeme, die hohe Spannungen und große Ströme unmittelbar und mit minimalem Leistungsverlust steuern können. SiC-Leistungshalbleiter werden voraussichtlich eine Schlüsselrolle in diesen Systemen spielen.
Mit Blick auf das anhaltende Wachstum in den Märkten für KI-Server und Rechenzentren wird ROHM die Entwicklung und Bereitstellung von Leistungshalbleitern auf Basis von SiC, GaN und Silizium weiter verstärken. ROHM wird außerdem zu einer höheren Energieeffizienz und zur Verwirklichung einer nachhaltigen Gesellschaft beitragen, indem das Unternehmen diese Leistungshalbleiter mit analogen ICs und anderen Technologien kombiniert.
Weitere Informationen finden Sie auf der ROHM-Website für SiC-Leistungshalbleiter, darunter „Einfache Suche", Design-Ressourcen und verwandte Inhalte:
Einfache Suche: https://www.rohm.de/products/sic-power-devices/sic-mosfet#easyPartFinder
Dokumente und Artikel zu den SiC-MOSFETs von ROHM: https://kyodonewsprwire.jp/attach/202606040358-O3-Sa1y2kVk.pdf
Pressemitteilung: https://www.rohm.com/news-detail?news-title=2026-06-03_news_sic-mosfet&defaultGroupId=false
Informationen zu ROHM: https://kyodonewsprwire.jp/attach/202606040358-O2-IKMX4af8.pdf
Logo: https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202606040358/_prw_PI2fl_365W01aV.jpg
Offizielle Website: https://www.rohm.com/
View original content:https://www.prnewswire.com/de/pressemitteilungen/rohms-sic-mosfet-kommt-im-zuge-der-weiterentwicklung-von-hvdc-architekturen-in-einer-bbu-fur-ki-server-zum-einsatz-302796533.html
Im Streit um die Behandlung sogenannter Heavy User im Mobilfunk hat das nordrhein-westfälische Oberverwaltungsgericht (OVG) die Bundesnetzagentur vorläufig in die Schranken gewiesen. Die Bonner Aufsichtsbehörde hatte einem bundesweit tätigen Mobilfunkanbieter untersagt, Kunden mit unbegrenztem oder sehr großem Datenvolumen bei überlasteten Funkzellen mit geringerer Priorität zu bedienen. Diese Form der sogenannten Depriorisierung darf nach der einstweiligen OVG-Entscheidung vorerst weiter angewendet werden. Der Beschluss im Eilverfahren ist nicht anfechtbar.
Nach Auffassung des 13. Senats ist derzeit offen, ob die entsprechende Vertragsklausel des Anbieters mit europäischem Recht vereinbar ist. Im Kern geht es um die Frage, ob eine nachrangige Behandlung von Vielnutzern eine nicht gerechtfertigte Ungleichbehandlung von Kunden darstellt. Bevor in der Hauptsache entschieden wird, will das OVG Münster den Europäischen Gerichtshof (EuGH) um eine Vorabentscheidung bitten. Damit wird der Konflikt um Datenpriorisierung und Netzmanagement auf die europäische Ebene verlagert.
Gegenstand des Verfahrens ist insbesondere, ob der Datentransport datenintensiver Anwendungen wie hochauflösendem Videostreaming während einer Netzüberlastung eingeschränkt oder verlangsamt werden darf. Der betroffene Mobilfunkanbieter sieht dies in seinen Allgemeinen Geschäftsbedingungen vor, um Kapazitäten in ausgelasteten Funkzellen zu steuern. Die Bundesnetzagentur hatte angeordnet, dass diese Klausel nicht umgesetzt werden darf und damit faktisch einen Riegel vor entsprechende Maßnahmen gegen Heavy User geschoben.
In der Vorinstanz hatte sich die Bundesnetzagentur noch durchgesetzt: Das Verwaltungsgericht Köln hatte die Position der Behörde bestätigt. Das OVG änderte diese Entscheidung nun (Az. 13 B 1232/25) und gab dem Anbieter im Eilverfahren Recht. Mit der geplanten Vorlage an den EuGH dürfte der Fall Signalwirkung für die Auslegung europäischer Vorgaben zur Gleichbehandlung von Internetverkehr und zu den Spielräumen der Netzbetreiber beim Umgang mit stark belasteten Mobilfunkzellen entfalten.