KYOTO, Japan, 31. August 2026 /PRNewswire/ -- ROHM Co., Ltd. hat 650-V-IGBTs der vierten Generation für elektrische Kompressoren und Hochvolt-Heizungen in Kraftfahrzeugen sowie Wechselrichter für Industrieanlagen entwickelt. Als Produkte der 650-V-Klasse für Automotive-Anwendungen erzielen die neuen IGBTs mit VCE(sat) = 1,55 V branchenweit führende* niedrige Durchlassverluste; gleichzeitig bieten sie eine hohe Kurzschlussfestigkeit und erfüllen den Zuverlässigkeitsstandard AEC-Q101 für die Automobilindustrie.

*Studie von ROHM vom 25. August 2026

Abbildung 1: Produktmerkmale  https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202608194399/_prw_PI1fl_XfM2m2kD.jpg

Da Elektrofahrzeuge zunehmend auf höhere Spannungen umgestellt werden, findet SiC immer häufiger in Hochleistungsanwendungen wie Antriebswechselrichtern Verwendung. Gleichzeitig werden 650-V-IGBTs in großem Umfang als Schaltgeräte in Hilfssystemen mit geringerer Leistungsaufnahme eingesetzt, darunter elektrische Kompressoren und Hochspannungsheizungen sowie in Industrieanlagen wie Motoren und Kompressoren, und es wird erwartet, dass die Nachfrage weiter steigen wird.

Diese Anwendungen erfordern größere Energieeinsparungen und kompaktere Geräteausführungen, was zu einer starken Nachfrage nach Leistungsbauelementen führt, die eine höhere Zuverlässigkeit, kleinere Abmessungen und einen höheren Wirkungsgrad bieten. Insbesondere Wechselrichter- und Heizkreise erfordern eine Kurzschlussfestigkeit, die ausreicht, um die Zeit zu überbrücken, die zur Erkennung und Unterbrechung eines Überstroms benötigt wird.

Um diesen Anforderungen gerecht zu werden, hat ROHM die Bauelementstruktur, den Herstellungsprozess und die Randanschlussstruktur neu gestaltet und so IGBTs der 4. Generation entwickelt, die verlustarme Eigenschaften mit hoher Kurzschlussfestigkeit kombinieren und gleichzeitig den Anforderungen an höhere Spannungen gerecht werden. Diese Produkte erhöhen die Stromdichte und reduzieren gleichzeitig die Leit- und Schaltverluste. Trotz des Kompromisses zwischen geringeren Verlusten und Kurzschlussfestigkeit erreichen die Produkte eine Kurzschlussstandzeit von 7 Mikrosekunden bei Tj = 25 °C, was zur Verbesserung der Anwendeneffizienz und -zuverlässigkeit beiträgt.

Das Sortiment umfasst 12 Produkte im TO-247N-Gehäuse, die Serien „RGAxxTS65HR" / RGAxxTS65EHR, sowie 10 Bare-Wafer-Produkte der Serie SG83xxWN. ROHM entwickelt außerdem 12 Produkte im TO-247-4L-Gehäuse, die Serien RGAxxTR65HR / RGAxxTR65EHR.

„RGAxxTS65HR": https://www.rohm.com/products/igbt/field-stop-trench-igbt?CollectorEmitterVoltage_num=650.0&PS_IgbtType=A:%20For%20inverter%20(tsc%207-10%C2%B5s)&PS_BuiltInDiode=-#epfProductSeries

„RGAxxTS65EHR": https://www.rohm.com/products/igbt/field-stop-trench-igbt?CollectorEmitterVoltage_num=650.0&PS_IgbtType=A:%20For%20inverter%20(tsc%207-10%C2%B5s)&PS_BuiltInDiode=FRD#epfProductSeries

„SG83xxWN": https://www.rohm.com/products/igbt/igbt-bare-die?CollectorEmitterVoltage_num=650.0&PS_IgbtType=A:%20For%20inverter%20(tsc%207-10%C2%B5s)#productFamily

Für die Zukunft plant ROHM, das Sortiment in denselben Gehäusen weiter auszubauen und kompakte IGBTs für die Oberflächenmontage im TO-263L-Gehäuse sowie in TSC-Gehäusen (Top-Side Cooling) zu entwickeln. ROHM wird das Sortiment an Hochleistungs-IGBTs weiter ausbauen, um einen höheren Wirkungsgrad und die Miniaturisierung in Automobil- und Industriegeräten zu unterstützen.

Abbildungen: Produktportfolio diskreter Bauelemente im TO-247-N-Gehäuse https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202608194399/_prw_PI2fl_34OH2Okk.jpg

Abbildungen: Produktpalette diskreter Bauelemente im TO-247-4L-Gehäuse https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202608194399/_prw_PI6fl_76Ha3uxp.jpg

Abbildungen: Produktpalette an Bare Wafern https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202608194399/_prw_PI4fl_12gp0324.jpg

Informationen zur Marke EcoIGBT (TM) und zum Support: https://kyodonewsprwire.jp/attach/202608194399-O1-T04yoz6p.pdf

Pressemitteilung: https://www.rohm.com/news-detail?news-title=2026-08-25_news_igbt&defaultGroupId=false

Informationen zu ROHM: https://kyodonewsprwire.jp/attach/202608194399-O2-07aO23A1.pdf

Logo: https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202608194399/_prw_PI5fl_7ltyL0G9.jpg

Offizielle Website: https://www.rohm.com/

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Die Exzellenzstrategie von Bund und Ländern stellt die Weichen für die nächste Förderperiode – und verschiebt die Gewichte im deutschen Wissenschaftssystem. Zu den bundesweit fünf neuen Exzellenzstandorten gehören die Technische Universität Darmstadt, die Goethe-Universität Frankfurt und die Johannes Gutenberg-Universität Mainz, die sich als Allianz der Rhein-Main-Universitäten (RMU) durchgesetzt haben. Ebenfalls erfolgreich waren in Nordrhein-Westfalen die Universität zu Köln sowie der Verbund Ruhr Innovation Lab aus TU Dortmund und Ruhr-Universität Bochum.

Für Hessen ist die Entscheidung ein Durchbruch: Erstmals tragen Universitäten des Landes ab 2027 den Titel „Exzellenzuniversität“. Die RMU-Allianz erhält nach Angaben des hessischen Wissenschaftsministeriums über sieben Jahre eine Förderung von insgesamt bis zu 155 Millionen Euro, finanziert zu 75 Prozent vom Bund. Wissenschaftsminister Timon Gremmels spricht von den ersten Exzellenzunis in Hessen und zugleich vom ersten länderübergreifenden Verbund in der Exzellenzstrategie. Ministerpräsident Boris Rhein bezeichnet den Titel als Meilenstein für die Forschungslandschaft des Landes. Ein mittelhessischer Verbund aus den Universitäten Gießen und Marburg blieb im Wettbewerb dagegen ohne Erfolg.

Auch Nordrhein-Westfalen stärkt seine Rolle als Hochburg der Spitzenforschung. Neben der Universität Köln, die den begehrten Status nach einer früheren Förderphase von 2012 bis 2019 zurückerhält, steigt der Verbund aus TU Dortmund und Ruhr-Uni Bochum als Ruhr Innovation Lab in den Kreis der Exzellenzuniversitäten auf. Nach Angaben des Düsseldorfer Wissenschaftsministeriums baut das Land damit seine Führungsposition aus. Die Universität Bonn und die RWTH Aachen hatten ihren Exzellenzstatus bereits im Frühjahr verteidigt, sodass NRW künftig mit vier Standorten vertreten ist. Ministerpräsident Hendrik Wüst wertet dies insbesondere als Signal für die internationale Sichtbarkeit des Ruhrgebiets als Wissenschafts- und Innovationsstandort.

In Bonn gaben Bundesforschungsministerin Dorothee Bär und der niedersächsische Wissenschaftsminister Falko Mohrs als Vize-Vorsitzender der Gemeinsamen Wissenschaftskonferenz (GWK) neben den Standorten in Hessen und NRW auch die Universitäten Freiburg und Jena als neue Exzellenzunis bekannt. Für Einzeluniversitäten sieht das Programm Fördermittel von bis zu 15 Millionen Euro pro Jahr vor, bei Verbünden wie der Rhein-Main-Allianz oder dem Ruhr Innovation Lab können es bis zu 28 Millionen Euro sein. Damit wächst die Riege der Exzellenzuniversitäten, deren bisher neun Standorte – darunter Aachen, Bonn, Dresden, Hamburg, Heidelberg, Karlsruhe, München, Tübingen sowie die Berlin University Alliance – ihre Förderung bereits im Frühjahr um weitere sieben Jahre verlängert hatten. Der Titel ist jeweils an regelmäßige Überprüfungen der Fördervoraussetzungen geknüpft.